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SVG以半导体功率器件构成的逆变器为关键，使用直流电容器储能，无SVC中体积庞大的滤波支路和电抗器，安装尺寸一般只有SVC的1/5-1/3，特别适合于对占地面积要求较高的场合，800*800*2200单柜比较大装机容量600kVar。SVG采用N+1或N+2冗余主电路拓扑结构，一个（或两个）链节单元损坏后仍可继续。满负荷运行；在系统短路故障条件下，SVG可连续稳定运行，而SVC因晶闸管触发问题可能发生闭锁推出运行；SVC使用了大量电容器电抗器，当外部系统容量与补偿装置的容量可比时，品质SVG品牌，品质SVG品牌，SVC会产生不稳定性而发生振荡，而SVG对外部系统运行条件和结构变化不敏感。SVG还避免了功率器件的直接串联。SVG输出电流不依赖于系统电压，品质SVG品牌，表现为恒流源特性，在系统电压跌落到20％时仍可以输出额定无功电流，具有更宽的运行范围；而SVC输出电流与系统电压成正比下降，使得达到同等补偿效果SVG容量可以比SVC容量小20％－30％。通过对固定电容器组的综合控制，可以更好的满足系统和负荷的补偿范围要求。由于SVG采用的桥式变流器，它可以看作是一个可调的电压或电流源。品质SVG品牌
无功补偿装置是什么？估计大部分电气人员都不陌生了。无功补偿装置的应用是保证电力系统稳定运行的关键，实现对电力系统电压的调整，无功补偿装置从开始至今在不断革新，装置的运行性能在不断提升，也推动了电力系统的飞速发展。无功补偿装置在电力系统中具有较好的应用前景，应根据实际的发展情况，加大无功补偿装置的研发，才能满足系统的运行需求。随着国民经济和科学技术的蓬勃发展，现代电网与负荷构成出现了新的变化趋势。大量冲击性，波动性负荷，如电弧炉，大型轧钢机，电力机车等的运行使得电压波动，闪变，三相不平衡日趋严重，严重削弱和干扰电网的经济可靠运行，其社会影响和经济损失是相当严重的。因此，迫切需要增设动态无功补偿装置，来提高电能质量。 质量SVG材料区别SVG以半导体功率器件构成的逆变器为关键。
SVG简介：SVG是静止无功发生器的缩写，也被称为STATCOM。SVG采用全控型电力电子器件组成的桥式变流器来进行动态无功补偿的装置，在补偿基波无功的同时，可以消除开关频率以下的谐波。SVG工作原理：SVG是一种基于大容量静止变流器的动态无功补偿设备，以电压源型逆变器（VoltageSourcedConverter，简称VSC）为关键，经过电抗器或者变压器并联在电网上，通过调节逆变器交流侧输出电压的幅值和相位，或者直接控制其交流侧电流的幅值和相位，迅速吸收或者发出所需要的无功功率，实现快速动态调节无功的目的。当采用直接电流控制时，直接对交流侧电流进行控制，不仅可以跟踪补偿冲击型负载的冲击电流，而且可以对谐波电流也进行跟踪补偿。SVG装置结构及主要元器件功能：装置主要由上级断路器、隔离开关、连接电抗器（连接变压器）、启动柜、功率柜、散热风道（水冷设备）以及控制屏等几部分组成。
SVG采用新型低损耗IGBT功率器件，直接输出电压范围1kV－35Kv,省去了连接变压器，装置效率可达99％以上；而由于损耗曲线特性优于SVC（SVC空载时损耗达到比较大），SVG的等效运行损耗一般只有SVC的1/3-1/2，等效运行耗电量较好低于SVC。SVG比SVC节能的原因：串联电抗器容量不同：SVC串联100%电抗，而SVG只串联6%的电抗，而电抗器损耗大约为，占主导地位。SVC的电容容量是SVG电容容量的一倍，所以，电容损耗比SVC的损耗小，电容损耗较小。SVC的可控硅的损耗与SVG的IGBT的损耗相当，可控硅的损耗比IGBT损耗小，但SVC部分的可控硅部分的容量是IGBT容量的一倍。而且在SVC的0无功时损耗比较大，100%无功时损耗小，SVG在50%无功时损耗小，在100%无功时损耗比较大，一般动态无功绝大部分时间工作在50%无功状态。SVG节能降耗：通过无功及谐波补偿，不仅减少无功损耗，还可以提高电气设备利用率。
SVG配套电容器不需要设置滤波器组，不存在谐振放大现象。品质SVG品牌
SVG的逆变电路设计方面，针对行业的特殊性，在余量冗余设计、完善保护设计方面需要做到完善，同时，在关键器件IGBT选型方面以及散热方面以产品质量、性能作为优先目标，在安全性和可靠性方面得到了很大程度有效保障。冗余设计：选用IGBT的额定电流为其实际工作电流的数倍，以保证充分的抗涌流冲击能力。如各类电焊、中频炉场合。完善保护设计：每个IGBT模块均设计有电压尖峰吸收电路，有效防止瞬间过电压；同时为完全防止瞬间过电流的冲击，逆变电路设计了完善的过流保护系统，包括软件电流限制、基于输出电流传感器的高速硬件过流保护电路。两套保护系统相互独立，构成两级冗余保护，可充分保证IGBT模块的安全运行。IGBT选型与散热：采用的IGBT具有开关速度高、损耗抵、通态压降低、可靠性高等突出优势，全部选用IGBT耐压为650V的“I”字型三电平模块，可取得更低的损耗、更高的工作效率，同时模块设计完善的散热系统，及时设备在额定条件下连续工作较长时，IGBT模块的基板温升不超过40℃；同时，充分利用IGBT模块内的NTC电阻实现IGBT模块的可靠的过热保护，是APF的重要保证。品质SVG品牌
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